Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SIHP33N60E-GE3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SIHP33N60E-GE3
Price: 3.542 USD
Availability: InStock
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIHP33N60E-GE3

Artikelnummer:

SIHP33N60E-GE3

Hersteller / Marke:

Electro-Films (EFI) / Vishay

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Electro-Films (EFI) / Vishay SIHP33N60E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHP33N60E-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)	278W (Tc)
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Andere Namen	SIHP33N60EGE3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3508pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	33A (Tc)
SIHP33N60E-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIHP33N60E-GE3 PDF - EN.pdf

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